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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIJH5800E-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIJH5800E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 8x8L
Tensión drenaje-fuente: 80V
Corriente del drenaje: 302A
Resistencia en estado de transferencia: 1,58mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 333W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 155nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 500A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 8.523,46*
  
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1 envase
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por envase
a partir de 2 envases
€ 8.584,02*
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por envase
a partir de 5 envases
€ 8.523,46*
€ 10.313,3866
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.