N.º art.: 6Q9VB-SIHK075N60EF-T1GE3
N.º fabricante: SIHK075N60EF-T1GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Fabricante: VISHAYMontaje: SMDCarcasa: PowerPAK® 1012Tensión drenaje-fuente: 600VCorriente del drenaje: 21AResistencia en estado de transferencia: 71mΩTipo de transistor: N-MOSFETPoder disipado: 192WPolarización: unipolarClase de empaquetado: cinta;bobinaCarga de puerta: 72nCClase de canal: enriquecidoTensión puerta-fuente: ±30VCorriente del drenaje en impulso: 97A
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