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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIHG70N60AEF-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG70N60AEF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 38A
Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 417W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 394nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 173A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, mosfet de potencia
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