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Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6,8W


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SIA811ADJ-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA811ADJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -4,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,205Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET + Schottky
Poder disipado: 6,8W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 13nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -8A
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 820,08*
  
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por envase
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a partir de 10 envases
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por envase
a partir de 500 envases
€ 820,08*
€ 992,2968
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.