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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A
N.º art.:
     6Q9VB-SI3458BDV-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3458BDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TSOP6
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 3,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 11nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 10A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.