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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-SI2333CDS-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2333CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -12V
Corriente del drenaje: -5,7A
Resistencia en estado de transferencia: 35mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 25nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -20A
Resumen de condiciones1
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