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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 3A; Idm: 16A; 750mW
N.º art.:
     6Q9VB-SI2318DS-T1-E3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2318DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 3A
Resistencia en estado de transferencia: 58mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,75W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 10nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 16A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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