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Módulo: IGBT; transistor/transistor; derivación de corriente


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SEMIX303GB12E4I50P
Fabricante:
     SEMIKRON DANFOSS
N.º fabricante:
     SEMIX303GB12E4I50P 27897007
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
SAI(UPS)
Sistema de alimentación ininterrump...
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS
Carcasa: SEMiX® 3p
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: transistor/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 300A
Corriente de colector en impulso: 900A
Uso: para UPS;inversor;fotovoltáica
Montaje eléctrico: Press-Fit;atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Topología: Termistor;medio puente IGBT;derivación de corriente
Resumen de condiciones1
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