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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 153W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-S2M0120120JTR-SMC
Fabricante:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N.º fabricante:
     S2M0120120J
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: SMC DIODE SOLUTIONS
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK-7
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 15A
Resistencia en estado de transferencia: 212mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 153W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 29,6nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...20V
Corriente del drenaje en impulso: 66A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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