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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-S2M0025120K-SMC
Fabricante:
     SMC DIODE SOLUTIONS
N.º fabricante:
     S2M0025120K
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: SMC DIODE SOLUTIONS
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 39A
Resistencia en estado de transferencia: 41mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 517W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 130nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...20V
Corriente del drenaje en impulso: 250A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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