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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RGW80TS65DGC11
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RGW80TS65DGC11
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión colector-emisor: 650V
Tensión entrada - emisor: ±30V
Corriente de colector: 40A
Corriente de colector en impulso: 160A
Tiempo de conexión: 59ns
Tiempo de desconexión: 228ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 107W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 110nC
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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