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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-RGTH80TS65DGC11
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RGTH80TS65DGC11
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión colector-emisor: 650V
Tensión entrada - emisor: ±30V
Corriente de colector: 40A
Corriente de colector en impulso: 160A
Tiempo de conexión: 84ns
Tiempo de desconexión: 194ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 117W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 79nC
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt
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