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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RGT50NS65DGTL
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RGT50NS65DGTL
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor SMD
Transistores SMD
Transistores
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: LPDS
Tensión colector-emisor: 650V
Tensión entrada - emisor: ±30V
Corriente de colector: 25A
Corriente de colector en impulso: 75A
Tiempo de conexión: 65ns
Tiempo de desconexión: 210ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 97W
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 49nC
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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