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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-R6030KNZ4C13
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6030KNZ4C13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 0,24Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 305W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 56nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 90A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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