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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-QS6U22TR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     QS6U22TR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TSMT6
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -1,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,43Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET + Schottky
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 3nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: -6A
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