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Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-QS5U12TR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     QS5U12TR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TSOT25
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 2A
Resistencia en estado de transferencia: 154mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET + Schottky
Poder disipado: 0,9W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Versión: ESD
Carga de puerta: 2,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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