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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
N.º art.:
     6Q9VB-PSMN4R0-40YS
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN4R0-40YS,115
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
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Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 83A
Resistencia en estado de transferencia: 8mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 106W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 38nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 472A
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