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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
N.º art.:
     6Q9VB-PSMN3R3-80PS.127
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN3R3-80PS,127
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB;SOT78
Tensión drenaje-fuente: 80V
Corriente del drenaje: 120A
Resistencia en estado de transferencia: 6,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 338W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 139nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 830A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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