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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9,7A; 47,5W; TO252AA


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJMD900N60EC-L2
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJMD900N60EC_L2_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: TO252AA
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 47,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 8,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 9,7A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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