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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,9A; Idm: 19,6A; 1,25W; SOT23


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-PJA3400-R1
Fabricante:
     PanJit Semiconductor
N.º fabricante:
     PJA3400_R1_00001
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: PanJit Semiconductor
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 4,9A
Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 5,7nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 19,6A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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