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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
N.º art.:
     6Q9VB-P66F7R5SNK-5600
Fabricante:
     SHINDENGEN
N.º fabricante:
     P66F7R5SNK-5600
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: SHINDENGEN
Montaje: THT
Carcasa: FTO-220AG (SC91)
Tensión drenaje-fuente: 75V
Corriente del drenaje: 66A
Resistencia en estado de transferencia: 5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 51W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: a granel
Carga de puerta: 115nC
Tecnología: EETMOS3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 264A
Resumen de condiciones1
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