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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 17A; Idm: 68A; 79W


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 17A; Idm: 68A; 79W
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 280V; 17A; Idm: 68A; 79W
N.º art.:
     6Q9VB-P17F28HP2-5600
Fabricante:
     SHINDENGEN
N.º fabricante:
     P17F28HP2-5600
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: SHINDENGEN
Montaje: THT
Carcasa: FTO-220AG (SC91)
Tensión drenaje-fuente: 280V
Corriente del drenaje: 17A
Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 79W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: a granel
Carga de puerta: 19,5nC
Tecnología: Hi-PotMOS2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 68A
Resumen de condiciones1
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