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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 85W


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 85W
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 85W
N.º art.:
     6Q9VB-P13F50HP2-5600
Fabricante:
     SHINDENGEN
N.º fabricante:
     P13F50HP2-5600
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: SHINDENGEN
Montaje: THT
Carcasa: FTO-220AG (SC91)
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 13A
Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 85W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: a granel
Carga de puerta: 25nC
Tecnología: Hi-PotMOS2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 52A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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