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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187,5A; 595W; TO247


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-NTH027N65S3F-F155
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTH027N65S3F-F155
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 595W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 259nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 187,5A
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