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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W; TO247


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W; TO247
N.º art.:
     6Q9VB-NTE2905
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2905
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: -200V
Corriente del drenaje: -7,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 150W
Polarización: unipolar
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -48A
Resumen de condiciones1
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