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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
N.º art.:
     6Q9VB-NTE2396A
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2396A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 130W
Polarización: unipolar
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 110A
Resumen de condiciones1
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