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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220
N.º art.:
     6Q9VB-NTE2372
Fabricante:
     NTE Electronics
N.º fabricante:
     NTE2372
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: NTE Electronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220
Tensión drenaje-fuente: -200V
Corriente del drenaje: -2A
Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 40W
Polarización: unipolar
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -14A
Resumen de condiciones1
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