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Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA


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Información de productos
Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA
Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA
N.º art.:
     6Q9VB-MMBFJ110
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     MMBFJ110
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo de un...
JFET
Transistores de efecto de campo de ...
MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Corriente de entrada: 10mA
Resistencia en estado de transferencia: 18Ω
Tipo de transistor: N-JFET
Poder disipado: 0,46W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Tensión puerta-fuente: -25V
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