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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B


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Información de productos
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,7kV; Ic: 50A; SOT227B
N.º art.:
     6Q9VB-IXYN50N170CV1
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXYN50N170CV1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Tensión de retorno máx.: 1,7kV
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 50A
Corriente de colector en impulso: 485A
Poder disipado: 880W
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Tecnología: XPT™
Otros conceptos de búsqueda: módulo igbt
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