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Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXTA130N10T7
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTA130N10T7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: IXYS
Montaje: SMD
Carcasa: TO263-7
Tiempo de disponibilidad: 77ns
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 130A
Resistencia en estado de transferencia: 9,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 360W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 104nC
Tecnología: TrenchMV™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 350A
Resumen de condiciones1
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a partir de € 2,17*
  
Precio válido a partir de 7.500 unidades
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€ 3,11
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a partir de 7500 unidades
€ 2,17*
€ 2,63
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.