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Módulo; transistor individual; 600V; 66A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFN82N60Q3
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN82N60Q3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 66A
Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ
Poder disipado: 960W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 275nC
Tecnología: HiPerFET™;Q3-Class
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 240A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 73,13*
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Precios escalonados
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
1 unidad
€ 73,13*
€ 88,49
por unidad
a partir de 2 unidades
€ 71,84*
€ 86,93
por unidad
a partir de 3 unidades
€ 63,46*
€ 76,79
por unidad
a partir de 5 unidades
€ 61,84*
€ 74,83
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 53,11*
€ 64,26
por unidad
a partir de 20 unidades
€ 50,37*
€ 60,95
por unidad
a partir de 3000 unidades
€ 45,16*
€ 54,64
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.