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Módulo; transistor individual; 900V; 56A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFN56N90P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN56N90P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 900V
Corriente del drenaje: 56A
Resistencia en estado de transferencia: 0,145Ω
Poder disipado: 1kW
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 375nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 168A
Resumen de condiciones1
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Precio
€ 81,81*
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a partir de 2 unidades
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a partir de 3 unidades
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a partir de 5 unidades
€ 69,62*
€ 84,24
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a partir de 10 unidades
€ 57,40*
€ 69,45
por unidad
a partir de 500 unidades
€ 51,85*
€ 62,74
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.