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Módulo; transistor individual; 1kV; 38A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFN44N100Q3
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN44N100Q3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 38A
Resistencia en estado de transferencia: 0,22Ω
Poder disipado: 960W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 264nC
Tecnología: HiPerFET™;Q3-Class
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 110A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
Resumen de condiciones1
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€ 49,09*
€ 59,40
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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