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Módulo; transistor individual; 1,2kV; 30A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFN30N120P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN30N120P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 0,35Ω
Poder disipado: 890W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 310nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 75A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 79,53*
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Precios escalonados
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
1 unidad
€ 79,53*
€ 96,23
por unidad
a partir de 2 unidades
€ 78,48*
€ 94,96
por unidad
a partir de 3 unidades
€ 69,39*
€ 83,96
por unidad
a partir de 5 unidades
€ 67,71*
€ 81,93
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 56,68*
€ 68,58
por unidad
a partir de 20 unidades
€ 54,62*
€ 66,09
por unidad
a partir de 3000 unidades
€ 50,01*
€ 60,51
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.