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Módulo; transistor individual; 1kV; 23A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IXFN26N100P
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFN26N100P
EAN/GTIN:
     Sin datos
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Fabricante: IXYS
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 23A
Resistencia en estado de transferencia: 390mΩ
Poder disipado: 595W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Carga de puerta: 197nC
Tecnología: HiPerFET™;Polar™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±40V
Corriente del drenaje en impulso: 65A
Resumen de condiciones1
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