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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264


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Información de productos
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264
N.º art.:
     6Q9VB-IXBK64N250
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXBK64N250
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO264
Tensión colector-emisor: 2,5kV
Tensión entrada - emisor: ±25V
Corriente de colector: 64A
Corriente de colector en impulso: 600A
Tiempo de conexión: 632ns
Tiempo de desconexión: 397ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 735W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 400nC
Tecnología: FRED;BiMOSFET™
Resumen de condiciones1
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