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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264


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Información de productos
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
N.º art.:
     6Q9VB-IXBK55N300
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXBK55N300
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO264
Tensión colector-emisor: 3kV
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 55A
Corriente de colector en impulso: 600A
Tiempo de conexión: 637ns
Tiempo de desconexión: 475ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 625W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 335nC
Tecnología: BiMOSFET™
Resumen de condiciones1
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