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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3


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Información de productos
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3
N.º art.:
     6Q9VB-IXBH6N170
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXBH6N170
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: IXYS
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión colector-emisor: 1,7kV
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 6A
Corriente de colector en impulso: 36A
Tiempo de conexión: 104ns
Tiempo de desconexión: 700ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 75W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: de alta tensión
Carga de puerta: 17nC
Tecnología: BiMOSFET™
Resumen de condiciones1
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