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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1,8A; 1,3W; DIP4
N.º art.:
     6Q9VB-IRLD024PBF
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     IRLD024PBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: DIP4
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 1,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,14Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,3W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 18nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±10V
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