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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,96A; Idm: 12A; 3,1W; SOT223


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,96A; Idm: 12A; 3,1W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,96A; Idm: 12A; 3,1W; SOT223
N.º art.:
     6Q9VB-IRFL110TRPBF
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     IRFL110TRPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT223
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 0,96A
Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 3,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 8,3nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 12A
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