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Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
N.º art.:
     6Q9VB-IPB100N04S303
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB100N04S303ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO263-3
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 2,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 214W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 110nC
Tecnología: OptiMOS™ T
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.