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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-IGOT60R070D1AUMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IGOT60R070D1AUMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo de un...
JFET
Transistores de efecto de campo de ...
Transistor SMD
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-DSO-20
Corriente de entrada: 20mA
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 31A
Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ
Tipo de transistor: N-JFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta
Carga de puerta: 5,8nC
Tecnología: CoolGaN™
Clase de transistor: HEMT
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -10V
Corriente del drenaje en impulso: 60A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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€ 17,97*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.