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Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN


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Información de productos
Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
N.º art.:
     6Q9VB-GT50JR22
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     GT50JR22(STA1,E,S)
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: THT
Carcasa: TO3PN
Tensión colector-emisor: 600V
Tensión entrada - emisor: ±25V
Corriente de colector: 44A
Corriente de colector en impulso: 100A
Tiempo de conexión: 250ns
Tiempo de desconexión: 330ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 115W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Resumen de condiciones1
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