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Módulo; transistor individual; 1,7kV; 70A; SOT227B; atornillado


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-G3R20MT17N
Fabricante:
     Genesic Semiconductor
N.º fabricante:
     G3R20MT17N
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
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Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión drenaje-fuente: 1,7kV
Corriente del drenaje: 70A
Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ
Poder disipado: 523W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Tecnología: SiC;G3R™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...15V
Corriente del drenaje en impulso: 300A
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