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Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A


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Información de productos
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A
N.º art.:
     6Q9VB-FF200R17KE4
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF200R17KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Carcasa: AG-62MM-1
Tensión de retorno máx.: 1,7kV
Estructura del semiconductor: transistor/transistor
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 200A
Corriente de colector en impulso: 400A
Poder disipado: 1,25kW
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
Topología: medio puente IGBT
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia
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