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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,5A; 1,6W; SuperSOT-6
N.º art.:
     6Q9VB-FDC638APZ
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDC638APZ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SuperSOT-6
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -4,5A
Resistencia en estado de transferencia: 72mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 12nC
Tecnología: PowerTrench®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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