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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9,7A; Idm: 100A; 2W; SO8


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9,7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9,7A; Idm: 100A; 2W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-DMN2009USS-13
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN2009USS-13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 9,7A
Resistencia en estado de transferencia: 12mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 34nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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