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Módulo; transistor individual; 1,2kV; 110A; SOT227B; atornillado


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DACMI160N1200-DCO
Fabricante:
     DACO Semiconductor
N.º fabricante:
     DACMI160N1200
EAN/GTIN:
     Sin datos
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Fabricante: DACO Semiconductor
Temperatura de trabajo: -55...150°C
Carcasa: SOT227B
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 110A
Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ
Poder disipado: 580W
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Tecnología: SiC
Tensión puerta-fuente: -5...20V
Corriente del drenaje en impulso: 400A
Resumen de condiciones1
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€ 83,50
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