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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W
N.º art.:
     6Q9VB-BXS1150N10M
Fabricante:
     Bridgelux
N.º fabricante:
     BXS1150N10M
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor SMD
Transistores SMD
transistor smd
Fabricante: BRIDGELUX
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23-3
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 2,6A
Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 2,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 16,3nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 15,6A
Resumen de condiciones1
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