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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; 1,6W; PG-DSO-8


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; 1,6W; PG-DSO-8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; 1,6W; PG-DSO-8
N.º art.:
     6Q9VB-BSO211PHXUMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     BSO211PHXUMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-DSO-8
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -4,6A
Resistencia en estado de transferencia: 67mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Tecnología: OptiMOS™ P
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Resumen de condiciones1
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